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- 000 01212nam0 2200241 450
- 010 __ |a 978-7-121-42500-4 |d CNY158.00
- 100 __ |a 20220111d2021 em y0chiy50 ea
- 200 __ |a CMOS芯片结构与制造技术 |f 潘桂忠编著
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2021
- 215 __ |a xv, 358页 |c 图 |d 26cm
- 330 __ |a 本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。
- 801 __ |a CN |b 可知 |c 20221117
- 856 __ |u https://www.keledge.com/wrap/details/book?id=956728458614935552
- 905 __ |a YKLG |d TN430.5/4-1
- 906 __ |a 600001122 |b 00010 |c TN430.5/4 |d 600001122 |g 158