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- 000 00980nam0 2200253 450
- 010 __ |a 978-7-111-73426-0 |b 平装 |d CNY119.00
- 100 __ |a 20230918d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |e 原子层工艺 |f (美)索斯藤·莱尔(Thorsten Lill)著 |g 丁扣宝译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023.09.01
- 330 __ |a 本书主要内容有:热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例,例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀,有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。
- 333 __ |a 半导体干法刻蚀技术人员及相关读者
- 801 _0 |a CN |b 北京百万庄图书大厦 |c 20230921