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- 000 01291nam0 2200277 450
- 010 __ |a 978-7-121-13512-5 |d CNY45.00
- 100 __ |a 20110805d2011 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a CMOS模拟集成电路分析与设计 |A CMOS Mo Ni Ji Cheng Dian Lu Fen Xi Yu She Ji |f 吴建辉编著
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2011
- 215 __ |a 366页 |c 图 |d 26cm
- 300 __ |a 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 电子科学与技术专业规划教材
- 320 __ |a 有书目 (第365-366页)
- 330 __ |a 本书分析了CMOS模拟集成电路设计理论与技术,全书由17章组成。从CMOS器件物理及高阶效应出发,介绍了CMOS模拟集成电路的基础,然后分别介绍了模拟集成电路中的各种电路模块:基本放大器、恒流源电路、差分放大器、运算放大器、基准电压源、开关电容电路、集成电压比较器、数/模转换与模/数转换、振荡器与锁相环等。另外,还分析了CMOS模拟集成电路的频率响应、稳定性、运算放大器的频率补偿及其反馈电路特性,以及噪声与非线性。
- 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS Dian Lu |x 模拟集成电路 |x 电路分析 |x 高等教育 |j 教材
- 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS Dian Lu |x 模拟集成电路 |x 电路设计 |x 高等教育 |j 教材
- 701 _0 |a 吴建辉 |A Wu Jian Hui |4 编著
- 801 _0 |a CN |b JG |c 20110805
- 905 __ |a YKLG |d TN432/16=2